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常规单通道电荷传输IDIC-C4Ph器件，物联网打在膜厚105nm时具有较高的FF（78.05%）和PCE，物联网打随着厚度增加，FF降低明显（300nm,FF=70.12%;485nm,FF=65.26%），但厚膜OSCs的FF和PCE仍然高于绝大多数报道的数据，反应了此类侧链结构（烷基侧链-芳香末端）在调控BHJ形貌方面的优势。TA-SVA优化后基于IDIC-C5Ph的活性层中π-π堆积强度更高且堆积距离更小，造小镇智有利于分子间电荷高效传输。